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首页产品展示MOS管系列
 
名称:2301/2302
 
 
 
 

 产品简介2301P沟道MOSFET2302N沟道MOSFET,均为增强模式场效应晶体管。 

2301主要参数:

l  晶体管类型:P沟道MOSFET

l  栅级门限电压VGS2.5V(典型值)

l  漏源电压VDS-20V(极限值)

l  漏极电流ID3A 

l  导通电阻RDSon):100mΩ(典型值)

l  栅极漏电流IGSS:±100nA

l  结温:55℃—150

l  封装形式:SOT23-3 

2302主要参数:

l  晶体管类型:N沟道MOSFET

l  栅级门限电压VGS2.5V(典型值)

l  漏源电压VDS20V(极限值)

l  漏极电流ID3A 

l  导通电阻RDSon: 100mΩ(典型值)

l  栅极漏电流IGSS:±100nA

l  结温:55℃—150

l  封装形式:SOT23-3 

脚位图及说明: 

管脚序号

管脚定义

功能说明

SOT23-3

1

G

栅极 

2

S

    源极

3

D

漏极 

 
 
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